5 %• Eficiencia: > 85 %• Ambiente de funcionamiento: -10 ~ 60 °C / 30 ~ 90 % RH CARACTERÍSTICAS • Fase única

• 2 - Silenciadores PT1/4

Placa de expansión de batería de litio 18650

nuestra caja te permite ordenar y acceder fácilmente a cada componente

• 2x SPI

IRF840 Transistor MOSFET Canal N 500V 8A TO-220-3 35v 5 %• Eficiencia: > 85El IRF840 es un transistor MOSFET de canal N diseado para aplicaciones de alta tensin y conmutacin eficiente. Con una capacidad de manejo de hasta 500 V y 8 A, es ideal para fuentes de alimentacin conmutadas, controladores de motor y otras aplicaciones electrnicas de potencia. Este dispositivo est encapsulado en formato TO 220 3 y es adecuado para montaje a travs de orificio. ESPECIFICACIONES TCNICAS Categora: Transistor MOSFET (N Channel) Vds Tensin